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张波，男，1964年5月生，阐明，博士生导师，电子科技大学集成电路推敲中心主任。国度当然科学基金委员会第十二届内行评审组内行；国度“中枢电子器件、高端通用芯片及基础软件居品”科技首要专项总体组内行（2008-2013）；国度“极大范畴集成电路制造装备及成套工艺”科技首要专项总体组特聘内行；国度集成电路东谈主才培养基地内行组内行；中国半导体行业协会理事；中国电工时代学会电力电子学会理事；四川省电子学会半导体集成时代专委会主任等。 1985年本科毕业于北京工业学院（现北京理工大学）半导体专科，同庚推选免试过问成齐电讯工程学院（现电子科技大学）修读半导体专科工学硕士学位。1988年4月推敲生毕业后留校职责于微电子科学与工程系，1990年被评为助理推敲员（讲师），1994年7月破格普及副阐明。1996年5月，受国度教委拜托，以高等探访学者身份赴好意思国Virginia理工大学进修，1996年11月－1999年11月，在好意思国国度工程中心功率电子系统中心（CPES）赓续从事推敲职责，参加了由好意思国科学基金、好意思国舟师部、Intel公司、HARRIS公司等资助的十余项科研形貌推敲。1999年11月归国职责，2000年7月被破格普及阐明，2002年被聘为博士生指导锻真金不怕火。2000年被评为四川省跨世纪后生学科带头东谈主，2002年耕作部“高校后生锻真金不怕火奖”赢得者，2005年被评为成齐市“十大了得后生”，2011年获政府独特津贴赢得者，2004年和2018年永别获成齐市有了得孝顺优秀内行，2011年获四川省有了得孝顺优秀内行，2013年景为四川省学术和时代带头东谈主，2018年入选天府翻新领军东谈主才，2021年入选天府了得科学家，2013年入选国度“有了得孝顺中后生内行”和“国度百千万东谈主才工程”。 从1980年代起即致力于于新式功率半导体时代推敲，在功率半导体领域发表SCI收录论文200余篇、EI收录论文300余篇，获中好意思发明专利授权80余项，获国度科技跨越二等奖等国度及部级科研奖励11项（其中牵头赢得2010年国度科技跨越二等奖）。所指点的本质室在功率半导体领域已培养出博士70余名、硕士1000余名。在教悔与学术推敲的同期为境表里企业到手开辟了百余种（款）功率半导体领域新工艺和新址品，为企业新增径直经济效益超越100亿元。 

耕作配景

         1996.05－1999.11 好意思国Virginia理工大学，好意思国国度工程中心功率电子系统中心（CPES）， 高等探访学者

         1985.09－1988.04 成齐电讯工程学院（现电子科技大学），半导体，硕士学位

         1981.09－1985.07 北京工业学院（现北京理工大学），半导体专科，学士学位

职责阅历                                                                                            

         1988.04－1994.06  电子科技大学微电子科学与工程系，锻真金不怕火

         1994.07－2000.06  电子科技大学微电子科学与工程系，副阐明

         2000.07－今           电子科技大学微电子与固体电子学院，阐明

         2002年 －今           电子科技大学微电子与固体电子学院，博士生导师 

         2014.07－今           电子科技大学集成电路推敲中心，主任     

荣誉奖励

         2010年，国度科技跨越奖二等奖

         1998年，国度科技跨越奖三等奖

         2014年，国度教悔效果二等奖

         2009年男性做爱性交技巧，四川省科技跨越奖一等奖

         2016年，四川省科技跨越奖一等奖

         2014年，耕作部当然科学奖二等奖

         1997年，电子工业部科技跨越奖二等奖

         1995年，电子工业部科技跨越奖三等奖

         2011年，部级时代发明奖三等奖

         2000年，部级科学时代奖二等奖

         2011年，中国电子学会电子信息科学时代奖二等奖

         2011年，中国电子科技集团公司时代发明奖一等奖 

         2015年，“四川电子科学时代奖”一等奖

从1980年代起即致力于于新式功率半导体时代推敲，屡次担任国际会议功率半导体分会主席，2010年景为国际功率半导体器件与功率集成电路学术会议（ISPSD）时代委员会（TPC）成员（民众功率半导体最高等别专科会议，张波阐明是频年来初度过问该时代委员会的国内学者），2015年ISPSD大会副主席。现在指挥电子科技大学功率集成时代本质室（PITEL）主攻功率半导体时代推敲。  

    电子科技大学功率集成时代本质室（PITEL）是“电子薄膜与集成器件国度重心本质室”和“电子科技大学集成电路推敲中心”的遑急构成部分。现存16名阐明/推敲员、9名副阐明，198名在读全日制硕士推敲生和30名博士推敲生，被国际同业誉为“民众功率半导体时代领域最大的学术推敲团队”和“功率半导体领域推敲最为全面的学术团队”。本质室对准国际一流，致力于于功率半导体科学和时代推敲，推敲本体涵盖分立器件（从高性能功率二极管MCR、双极型功率晶体管、功率MOSFET、IGBT、MCT到RF LDMOS，从硅基到SiC和GaN）、可集到手率半导体器件（含硅基、SOI基和GaN基）和功率集成电路（含上下压工艺集成、高压功率集成电路、电源措置集成电路、数字扶持功率集成及面向系统芯片的低功耗集成电路等）。 频年来，本质室共发表SCI收录论文300余篇。在电子器件领域顶级刊物《IEEE Electron Device Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》上共发表论文60余篇。继2012年在EDL上发表7篇论文，论文数位列民众前方以后，2015年在TED上发表8篇著述，论文数再次列民众前三（在固态功率与高压器件领域居民众第一）。步调域国际最顶级学术会议IEEE ISPSD收录论文数自2006年已毕零的突破后，从2011年起均居民众推敲团队前方，在ISPSD 2013、2017上论文登科数居民众推敲团队第一。本质室在功率半导体时代领域已获中、好意思发明专利授权1000余项，在IGBT等多个领域授权数居国内第一。 本质室牵头赢得2010年国度科技跨越二等奖、2016年四川省科学时代跨越一等奖、2009年四川省科学时代跨越一等奖、2014年耕作部当然科学二等奖等；与中国电科24所联结赢得2011年中国电子科技集团公司科技发明一等奖；与上海华虹NEC联结赢得2011年中国电子学会电子信息科学时代二等奖等。 本质室牵头或参研十余项国度科技首要专项；在研国度当然科学基金形貌16项。与企业联结承担了国度高时代产业发展筹谋、四川省产业发展要津首要时代形貌、江苏省产业化诊治形貌、广东省耕作部产学研结合形貌、粤港要津领域重心突破形貌等产业化形貌；面向市集研发出100余种居品；为企业开辟出60V-600V功率MOS、600V-900V超结（SJ）MOS、IGBT、120V-700V BCD、高压SOI等分娩平台，部分居品冲突国际附近、已毕批量分娩，已销售数亿只。

1. 部分代表性论文

        [1].Equivalent substrate model for lateral super junction device. IEEE Transactions on Electron Devices， v 61， n 2， p 525-532， February 2014

        [2].Analytical Modeling for a Novel Triple RESURF LDMOS with N-Top Layer. IEEE Transactions on Electron Devices， v 62， n 9， p 2933-2939， September 1， 2015

        [3].Ultralow ON-Resistance SOI LDMOS With Three Separated Gates and High-k Dielectric. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016， 63(9): 3804-3807

        [4].Analytical Model and Characteristics for High-voltage Controllable C-SenseFET.IEEE Transactions on Power Electronics. 2016， VOL. 31， NO. 6

        [5].An advanced spread spectrum architecture using pseudorandom modulation to improve EMI in class D amplifier. IEEE Transactions on Power Electronics， v 26， n 2， p 638-646， 2011.

        [6].A 1.6-V 25-μA 5-ppm/°C curvature-compensated bandgap reference. IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers， v 59， n 4， p 677-84， April 2012

        [7].Digital Error Corrector for Phase Lead-Compensated Buck Converter in DVS Applications. IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems， Vol.21， No.9，  pp. 1747 - 1751， Sept. 2013.

        [8].7.6 V Threshold Voltage High-Performance Normally-Off Al 2 O 3 /GaN MOSFET Achieved by Interface Charge Engineering. IEEE Electron Device Letters， 2016， 37(2):165-168.

        [9].High Peak Current MOS Gate-Triggered Thyristor With Fast Turn-On Characteristics for Solid-State Closing Switch Applications. IEEE Electron Device Letters， 2015， 37(2):1-1.

        [10].An Accumulation Mode RF Laterally Double Diffused MOSFET with Improved Performance. IEEE Electron Device Letters，v 37，n 10，October 2016

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    2. 出书刊物

        （1） Power Semiconductor Devices and Smart Power IC，自编教材

        （2） 集成电路电源齐全性分析与措置，译著，电子工业出书社，2013年

        （3） 功率半导体器件电场优化时代，专著，电子科技大学出书社，2016年

  把稳国际调换与联结，指点本质室和好意思国北卡州立大学、英国剑桥大学、加拿大多伦多大学、香港科技大学、好意思国ADI（Analog Device Inc.）公司、好意思国ON Semiconductor、好意思国MPS、日本Rohm公司以及台湾AME、EUTECH、NIKO-SEMI和NUVOTON等高校和企业开展了密切联结。并与ADI公司、ON Semiconductor、MPS成立承接子验室。

  积极开展产学研用联结，指点本质室和中科院微电子所、中科院微系统所、中国电子科技集团13所、24所、58所、深圳华为、株洲南车、国度电网、广东好意思的、四川长虹、华虹NEC、华润微电子、杭州士兰微、天津中环半导体、吉林华微、江苏东光、深圳爱重、北京新雷能等数十家企业开展了密切联结。并与58所、华润、中环、北京新雷能等企业成立了校企承接子验室。

    本质室已培养博士70余名、硕士1000余名，其中多东谈主成为国表里步调域主干。频年本质室毕业推敲生每年超越100东谈主，已成为民众功率半导体领域培养推敲生最多的东谈主才培养基地。